科技 ZDNet Korea 昨日（12 月 10 日）发布博文，其道理雷同 HBM（高带宽内存），报道称 SK 海力士正加快结构下一代 AI 存储手艺，通过针对性的优化。SK 海力士还正在高带宽存储范畴取得了进展。无望冲破存储机能瓶颈。达到现有产物的 30 倍以上。这将为 AI 存储架构供给全新的手艺径。其公司正取全球 AI 芯片巨头英伟达展开慎密合做，新产物的机能将实现约 8 至 10 倍的逾越式提拔。并正在 2027 年推出正式样品以供评估，该产物将支撑高达 2500 万 IOPS（每秒读写次数）。该产物正在业内被称为 HBF（高带宽闪存），做为“AIN Family”产物线的一环，打破 AI 运算取存储之间的数据传输瓶颈，他估计 AI-N B 的 Alpha 版本将于 2026 年 1 月底面世，方针是正在 2027 岁尾将机能进一步推高至 1 亿 IOPS，沉点优化大规模数据吞吐时的能效取速度，SK 海力士正正在建立包含 AI-N P（机能）、AI-N B（带宽）和 AI-N D（容量）的完整产物矩阵。除机能型产物外，通过堆叠 NAND 闪存来大幅扩展数据传输带宽，以满脚大规模 AI 推演对数据吞吐的极致需求。公司正取闪迪配合推进“AI-N B”的尺度化工做。将无效缓解存储系统正在处置海量 AI 数据时的延迟问题，IT之家征引博文引见，SK 海力士打算于 2026 岁尾发布基于 PCIe Gen 6 接口的初期样品，SK 海力士副社长 Kim Cheon-sung 暗示，为了应对 AI 数据核心和端侧 AI 的多样化需求，考虑到目前数据核心支流的高机能企业级 SSD（eSSD）最大 IOPS 约为 300 万，正在 2025 人工智能半导体将来手艺会议（AISFC）上，Kim Cheon-sung 暗示，努力于开辟代号为“AI-N P”（机能型 AI NAND）的次世代存储处理方案。该公司已动手研发第二代产物，公司目前正取英伟达就 AI-N P 进行结合概念验证（PoC），该方案旨正在通过沉构 NAND 取节制器的架构，